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我國半導體去膠設備行業(yè):晶圓產(chǎn)能不斷擴充帶來(lái)廣闊需求 市場(chǎng)呈多寡頭壟斷格局

一、去膠工藝是半導體制造過(guò)程中的重要環(huán)節之一,主要分為濕法與干法兩類(lèi)

根據觀(guān)研報告網(wǎng)發(fā)布的《中國半導體去膠設備行業(yè)發(fā)展深度分析與投資前景預測報告(2025-2032年)》顯示,在半導體制造工藝中,去膠工藝是不可或缺的一環(huán),是光刻工藝中的最后一步,其直接關(guān)系到芯片成品的質(zhì)量與性能。在光刻工藝中,去膠設備主要用于曝光后將光刻膠從晶圓上移除,以此來(lái)保證晶圓順利進(jìn)入下一步制造步驟。

去膠工藝可分為濕法和干法兩類(lèi)。其中濕法去膠工藝使用溶劑對光刻膠等進(jìn)行溶解,不適合用于A(yíng)I、Cu等制程的去膠;干法去膠工藝可視為等離子刻蝕技術(shù)的延伸,主要通過(guò)等離子體和薄膜材料的化學(xué)反應完成,適用于絕大部分的去膠工藝,是當前的主流工藝。

去膠工藝可分為濕法和干法兩類(lèi)。其中濕法去膠工藝使用溶劑對光刻膠等進(jìn)行溶解,不適合用于A(yíng)I、Cu等制程的去膠;干法去膠工藝可視為等離子刻蝕技術(shù)的延伸,主要通過(guò)等離子體和薄膜材料的化學(xué)反應完成,適用于絕大部分的去膠工藝,是當前的主流工藝。

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二、去膠設備是半導體設備重要的一個(gè)分支,擁有較大的發(fā)展空間

半導體去膠設備是指在半導體去膠工藝中所涉及到的設備總稱(chēng),是半導體設備重要的一個(gè)分支。半導體設備,作為高科技制造領(lǐng)域的關(guān)鍵一環(huán),涵蓋了晶圓制造、封裝測試等全流程所需的各種精密儀器。這些設備不僅對芯片的性能和成本產(chǎn)生直接影響,還是推動(dòng)整個(gè)半導體行業(yè)技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)升級的重要基石。

近年來(lái),在下游半導體行業(yè)發(fā)展帶動(dòng)下,我國半導體設備市場(chǎng)規模整體擴大,并在 2020 年首次成為全球最大的半導體設備市場(chǎng),銷(xiāo)售額增長(cháng) 39%,達到 187.2億美元。到2023 年中國大陸半導體設備市場(chǎng)規模達到 366 億美元,仍然是全球最大的半導體設備市場(chǎng)。而結合全球半導體設備發(fā)展趨勢、我國半導體設備國產(chǎn)替代以及下游需求旺盛的多重作用,未來(lái)幾年我國半導體設備行業(yè)仍將保持高速增長(cháng)態(tài)勢,保守預計2023—2028年,我國半導體設備行業(yè)市場(chǎng)規模將穩步提升,保持在15%左右的復合增長(cháng)率,到2028年,我國半導體設備市場(chǎng)規模將達到655億美元??梢?jiàn),去膠設備作為半導體設備重要的一個(gè)分支,其擁有較大的發(fā)展空間。

近年來(lái),在下游半導體行業(yè)發(fā)展帶動(dòng)下,我國半導體設備市場(chǎng)規模整體擴大,并在 2020 年首次成為全球最大的半導體設備市場(chǎng),銷(xiāo)售額增長(cháng) 39%,達到 187.2億美元。到2023 年中國大陸半導體設備市場(chǎng)規模達到 366 億美元,仍然是全球最大的半導體設備市場(chǎng)。而結合全球半導體設備發(fā)展趨勢、我國半導體設備國產(chǎn)替代以及下游需求旺盛的多重作用,未來(lái)幾年我國半導體設備行業(yè)仍將保持高速增長(cháng)態(tài)勢,保守預計2023—2028年,我國半導體設備行業(yè)市場(chǎng)規模將穩步提升,保持在15%左右的復合增長(cháng)率,到2028年,我國半導體設備市場(chǎng)規模將達到655億美元??梢?jiàn),去膠設備作為半導體設備重要的一個(gè)分支,其擁有較大的發(fā)展空間。

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三、半導體行業(yè)發(fā)展帶動(dòng)半導體去膠設備發(fā)展

半導體去膠設備與半導體產(chǎn)業(yè)的繁榮狀況緊密相連。近年隨著(zhù)半導體行業(yè)發(fā)展的帶動(dòng),半導體去膠設備也隨之發(fā)展。當今數字經(jīng)濟迅速發(fā)展,半導體行業(yè)作為現代科技與工業(yè)領(lǐng)域的核心基石,對全球經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展具有深遠影響,吸引了越來(lái)越多的投資者的關(guān)注。在此背景下,半導體去膠設備作為半導體行業(yè)的重要一個(gè)分支,未來(lái)也有著(zhù)廣闊的發(fā)展空間。

近年來(lái),由于美國等國家對我國半導體產(chǎn)業(yè)限制持續加劇以及終端應用需求呈現周期性疲軟態(tài)勢,導致2022-2023年我國半導體市場(chǎng)規模存在不同程度的下降。根據數據顯示,2023年我國半導體市場(chǎng)規模達到1552億美元。

近年來(lái),由于美國等國家對我國半導體產(chǎn)業(yè)限制持續加劇以及終端應用需求呈現周期性疲軟態(tài)勢,導致2022-2023年我國半導體市場(chǎng)規模存在不同程度的下降。根據數據顯示,2023年我國半導體市場(chǎng)規模達到1552億美元。

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四、晶圓產(chǎn)能不斷擴充給去膠設備帶來(lái)廣闊市場(chǎng)需求

目前去膠設備主要應用在集成電路中的前道芯片制造領(lǐng)域。據了解,集成電路制造設備通??煞譃榍暗拦に囋O備(芯片制造)和后道工藝設備(芯片封裝測試)兩大類(lèi)。其中,前道芯片制造主要包括六大工藝步驟,分別為:熱處理(Thermal Process)、光刻(Photo-lithography)、刻蝕(Etch)、離子注入(Ion Implant)、薄膜沉積(Deposition)、機械拋光(CMP),所對應的專(zhuān)用設備主要包括快速熱處理(RTP)/氧化/擴散設備、光刻設備、刻蝕/去膠設備、離子注入設備、薄膜沉積設備、機械拋光設備等。

目前去膠設備主要應用在集成電路中的前道芯片制造領(lǐng)域。據了解,集成電路制造設備通??煞譃榍暗拦に囋O備(芯片制造)和后道工藝設備(芯片封裝測試)兩大類(lèi)。其中,前道芯片制造主要包括六大工藝步驟,分別為:熱處理(Thermal Process)、光刻(Photo-lithography)、刻蝕(Etch)、離子注入(Ion Implant)、薄膜沉積(Deposition)、機械拋光(CMP),所對應的專(zhuān)用設備主要包括快速熱處理(RTP)/氧化/擴散設備、光刻設備、刻蝕/去膠設備、離子注入設備、薄膜沉積設備、機械拋光設備等。

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近年來(lái)隨著(zhù)下游應用市場(chǎng)需求增加,加上各國貿易的不穩定,全球芯片供需出現失衡,國內晶圓代工企業(yè)接連宣布投資建造或規劃建設新產(chǎn)線(xiàn),以擴大晶圓產(chǎn)能,從而帶動(dòng)了半導體去交設備市場(chǎng)需求快速增長(cháng)。數據顯示,截至2023年12月,我國內地12英寸、8英寸和6英寸及以下的硅晶圓制造線(xiàn)共有210條。12英寸晶圓廠(chǎng)45座,規劃產(chǎn)能合計238萬(wàn)片,8英寸晶圓廠(chǎng)34座,規劃產(chǎn)能合計168萬(wàn)片,6英寸晶圓廠(chǎng)48座,規劃產(chǎn)能合計264萬(wàn)片,5/4/3英寸晶圓廠(chǎng)63座,規劃產(chǎn)能合計730萬(wàn)片。

2023年我國大陸晶圓制造產(chǎn)能分布

廠(chǎng)商

地點(diǎn)

晶圓廠(chǎng)

工藝制程

尺寸

規劃產(chǎn)能(萬(wàn)片/月)

中芯國際

上海

中芯南方SN1

14nm FinFET

12

3.5

上海

中芯上海S1 Fab1

0.35um-90nm

8

13.5

上海

中芯上海S1 Fab2

0.35um-90nm

8

華虹集團

上海

華力一期Fab5

65nm/55nm, 40nmLogic,RF, CIS,HV, eNVM

12

4

上海

華力二期Fab6

28nm/22nmLogic, RF, CIS, eNVM

12

4

上海

華虹宏力Fab1

1.0 μm-90nm eNVM,Discrete,BCD,Logic/RF,CIS

8

17

上海

華虹宏力Fab2

8

17.8

上海

華虹宏力Fab3

8

積塔半導體

上海

Fab6

55nm特色工藝先導線(xiàn)(一階段)40/28nm汽車(chē)電子芯片生產(chǎn)線(xiàn)(二階段)

12

5

上海

Fab5

0.35-0.11um,模擬、功率器件

8

8

上海

Fab3

0.5-2.5um BCD,數?;旌?/span>

8

3

上海

Fab2

1.0-0.8um BCD, IGBT

6

7

上海

Fab7

SiC MOSFET

6

3

鼎泰匠芯

上海

0.18/0.11umMOSFET,GBT,Logic,Analog

12

3

臺積電

上海

Fab10

0.35-0.18μm CMOS

8

12

中芯國際

北京

中芯北京B1 Fab4

90nm-55nm

12

6.5

中芯北方B2

65nm-28nm

12

10

中芯北方B3

65nm-28nm

12

中芯京城FAB3P1

65nm-28nm

12

10

燕東微

北京

65nm功率器件、顯示驅動(dòng)、電源管理、硅光芯片

8

5

北京

90nm 以上MOSFET、IGBT、CMOS、BCD、MEMS

8

3

賽微電子

北京

Fab3

0.25um-lum MEMS BAW

8

3

中芯國際

深圳

中芯深圳G2 Fab16

65nm-28nm

12

4

深圳

中芯深圳G1 Fab15

0.35μum-0.15μum

8

7

方正微

深圳

Fab1

DMOS、IGBT、SBD、FRD、BiCMOS、BCD、GaN,SiC

6

5

深圳

Fab2

DMOS、IGBT、SBD、FRD、BiCMOS、BCD、GaN,SiC

6

深?lèi)?ài)半導體

深圳

DMOS、MOSFET、IGBT,FTD, TVS, GaN, SiC

6

4

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五、當前市場(chǎng)呈現多寡頭壟斷格局,CR5達到為93.5%

當前全球集成電路制造干法去膠設備領(lǐng)域呈現多寡頭競爭的發(fā)展趨勢,行業(yè)CR5在2023年超過(guò) 90%,比思科、屹唐半導體、泰仕半導體、愛(ài)發(fā)科、泛林半導體等為主要參與者。其中屹唐半導體憑借 34.60%的市場(chǎng)占有率位居全球第二,確立了在干法去膠設備細分市場(chǎng)中國際領(lǐng)先的行業(yè)地位。

當前全球集成電路制造干法去膠設備領(lǐng)域呈現多寡頭競爭的發(fā)展趨勢,行業(yè)CR5在2023年超過(guò) 90%,比思科、屹唐半導體、泰仕半導體、愛(ài)發(fā)科、泛林半導體等為主要參與者。其中屹唐半導體憑借 34.60%的市場(chǎng)占有率位居全球第二,確立了在干法去膠設備細分市場(chǎng)中國際領(lǐng)先的行業(yè)地位。

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在國內市場(chǎng)上,集成電路制造干法去膠設備領(lǐng)域同樣也呈現多寡頭競爭態(tài)勢,多寡頭競爭超過(guò)90%。有數據顯示,2022年在我國干法去膠設備領(lǐng)域,前五大廠(chǎng)商的市場(chǎng)份額合計達到93.5%。這一數據表明,當前我國干法去膠設備領(lǐng)域市場(chǎng)高度集中。目前在我國干法去膠設備領(lǐng)域里,主要有屹唐半導體、中屹唐半導體等。(WW)

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全球光刻材料行業(yè)迎來(lái)復蘇跡象 我國國產(chǎn)化戰略持續深化

全球光刻材料行業(yè)迎來(lái)復蘇跡象 我國國產(chǎn)化戰略持續深化

光刻材料市場(chǎng)需求與集成電路發(fā)展緊密相關(guān)。近年來(lái)全球及中國集成電路市場(chǎng)規模持續擴大,尤其是在5G、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等技術(shù)的推動(dòng)下,集成電路在通信、計算機、消費電子等領(lǐng)域的應用日益廣泛。而中國作為全球最大的集成電路市場(chǎng)之一,其銷(xiāo)售額持續增長(cháng),預計未來(lái)幾年市場(chǎng)規模將繼續擴大。根據數據顯示,2023年我國集成電路產(chǎn)量為3514

2025年05月21日
我國硅光芯片行業(yè)分析:5G基站、AI算力等領(lǐng)域發(fā)展 刺激市場(chǎng)需求釋放

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基站前傳是移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò )中連接基帶處理單元與遠端射頻單元的關(guān)鍵鏈路,需滿(mǎn)足高帶寬、低時(shí)延、高可靠性和低成本等要求。硅光芯片在基站側可實(shí)現前傳鏈路光互聯(lián),降低功耗并支持毫米波與光傳輸混合調度。目前,華為已實(shí)現硅光技術(shù)在5G基站中的規?;瘧?,未來(lái)6G網(wǎng)絡(luò )將進(jìn)一步依賴(lài)硅光技術(shù)實(shí)現超高速率與低延遲傳輸。

2025年05月16日
下游應用多點(diǎn)開(kāi)花 我國熔斷器行業(yè)正處于加速追趕期 貿易逆差額大幅縮小

下游應用多點(diǎn)開(kāi)花 我國熔斷器行業(yè)正處于加速追趕期 貿易逆差額大幅縮小

作為電路系統核心保護器件,熔斷器下游應用多點(diǎn)開(kāi)花。其中新能源汽車(chē)、風(fēng)電、光伏、儲能等新能源產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展為熔斷器行業(yè)帶來(lái)廣闊新興增量需求。在下游行業(yè)發(fā)展帶動(dòng)下,我國熔斷器行業(yè)近年來(lái)呈現出強勁的發(fā)展態(tài)勢,市場(chǎng)規模不斷擴容。此外我國熔斷器行業(yè)起步較晚,目前處于加速追趕期,市場(chǎng)呈現出外資品牌為主導,國產(chǎn)廠(chǎng)商不斷追趕的局面。

2025年05月16日
我國硅光模塊行業(yè)競爭分析:頭部企業(yè)已逐漸完成全產(chǎn)業(yè)鏈布局 且陸續量產(chǎn)出貨

我國硅光模塊行業(yè)競爭分析:頭部企業(yè)已逐漸完成全產(chǎn)業(yè)鏈布局 且陸續量產(chǎn)出貨

我國硅光模塊產(chǎn)業(yè)鏈已形成從芯片設計、器件供應到模塊制造的全鏈條布局,包括中際旭創(chuàng )、新易盛、光迅科技、華工科技、享通光電、博創(chuàng )科技、德科立等光模塊均在布局硅光技術(shù)。

2025年05月15日
全球AMHS行業(yè)增長(cháng)勢頭強勁 中國市場(chǎng)高速擴張 本土企業(yè)正加速追趕以打破日企壟斷

全球AMHS行業(yè)增長(cháng)勢頭強勁 中國市場(chǎng)高速擴張 本土企業(yè)正加速追趕以打破日企壟斷

晶圓尺寸的發(fā)展推動(dòng)AMHS系統持續迭代,AMHS由早期機械搬運向智能一體化轉型。隨著(zhù)全球產(chǎn)業(yè)競爭熱化與先進(jìn)制程工藝愈趨復雜,AMHS行業(yè)展現出強勁增長(cháng)勢頭。中國大陸在半導體產(chǎn)業(yè)的崛起以及工業(yè)智能化的持續推進(jìn)下,AMHS市場(chǎng)也高速擴張,規模增速已超過(guò)全球。

2025年05月14日
我國已成為全球最大薄膜電容器市場(chǎng) 高端國產(chǎn)化進(jìn)程加速

我國已成為全球最大薄膜電容器市場(chǎng) 高端國產(chǎn)化進(jìn)程加速

受益于光伏、風(fēng)電、新能源汽車(chē)等新能源產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展,近年來(lái)我國薄膜電容器行業(yè)迎來(lái)快速增長(cháng)期,市場(chǎng)規模提速擴容,且增幅明顯高于全球市場(chǎng)。中國全球薄膜電容器市場(chǎng)領(lǐng)先地位確立。當前我國薄膜電容器整體國產(chǎn)化率較高,但在高端市場(chǎng)仍由國外企業(yè)主導。為突破高端市場(chǎng)瓶頸,國內領(lǐng)先企業(yè)正從產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節發(fā)力……

2025年05月14日
我國電子測量?jì)x器行業(yè)增速快于全球 迎政策機遇 本土企業(yè)開(kāi)拓中高端市場(chǎng)成效顯著(zhù)

我國電子測量?jì)x器行業(yè)增速快于全球 迎政策機遇 本土企業(yè)開(kāi)拓中高端市場(chǎng)成效顯著(zhù)

通信、消費電子、汽車(chē)為國內電子測量?jì)x器三大應用場(chǎng)景,總占比接近90%。近年來(lái),伴隨我國電子信息制造效益持續向好、消費電子市場(chǎng)景氣度呈現復蘇態(tài)勢、新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)發(fā)展壯大,我國電子測量?jì)x器快速擴張,市場(chǎng)增速快于全球。

2025年05月13日
三大驅動(dòng)力為汽車(chē)電子行業(yè)注入強勁動(dòng)力 市場(chǎng)呈現智能化、網(wǎng)聯(lián)化、集成化等新趨勢

三大驅動(dòng)力為汽車(chē)電子行業(yè)注入強勁動(dòng)力 市場(chǎng)呈現智能化、網(wǎng)聯(lián)化、集成化等新趨勢

汽車(chē)電子是汽車(chē)車(chē)身的重要組成部分,是構成汽車(chē)的駕駛艙和客艙的重要零部件。汽車(chē)電子處于產(chǎn)業(yè)鏈中游的零部件制造領(lǐng)域,是汽車(chē)制造的重要環(huán)節。目前我國是全球最大汽車(chē)產(chǎn)銷(xiāo)國,為汽車(chē)電子行業(yè)帶來(lái)廣闊的發(fā)展空間。

2025年05月12日
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