我國CMP拋光液行業(yè)市場(chǎng)規模增速快于全球 先進(jìn)制程產(chǎn)能投入下價(jià)格逐年走高

一、拋光液為化學(xué)機械拋光過(guò)程中的主要耗材，占比達50%以上

根據觀(guān)研報告網(wǎng)發(fā)布的《中國CMP拋光液行業(yè)現狀深度分析與投資前景研究報告（2024-2031年）》顯示，CMP（Chemical Mechanical Polishing）指的是化學(xué)機械拋光，是晶圓制造過(guò)程中的晶圓平坦化過(guò)程。CMP 技術(shù)利用化學(xué)腐蝕和機械研磨的方式，借助超微離子研磨作用以及漿料的化學(xué)腐蝕作用在被研磨的介質(zhì)表面上形成光潔的平面。根據不同工藝制程和技術(shù)節點(diǎn)的要求，每一片晶圓在生產(chǎn)過(guò)程中都會(huì )經(jīng)歷幾道甚至幾十道的 CMP 拋光工藝步驟。

在化學(xué)機械拋光過(guò)程中，涉及到的材料主要包括拋光液、拋光墊、調節器、CMP 清洗液以及其他耗材，其中拋光液是主要耗材，占比達到 50%以上。

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二、隨著(zhù)晶圓廠(chǎng)持續擴產(chǎn)，我國CMP拋光液市場(chǎng)規模增速快于全球

半導體市場(chǎng)的擴張帶動(dòng)CMP拋光液行業(yè)發(fā)展。根據數據，2017-2023年全球CMP拋光液市場(chǎng)規模由12.7億美元增長(cháng)至21.5億美元，2017-2023年年復合增長(cháng)率為9%。

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隨著(zhù)我國晶圓廠(chǎng)持續擴產(chǎn)，我國CMP拋光液市場(chǎng)規模增速快于全球。數據顯示，2017-2023年我國CMP拋光液市場(chǎng)規模由14.9億元增長(cháng)至29.6億元，2017-2023年年復合增長(cháng)率為12.12%。

中國大陸 12 寸晶圓產(chǎn)能擴張情況

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三、先進(jìn)制程產(chǎn)能投入下CMP拋光液價(jià)格走高

芯片制程越小，CMP 工藝數量快速增加。對于邏輯芯片，隨著(zhù)芯片制程縮小，對應的光刻次數、刻蝕次數增加，帶動(dòng) CMP 工藝步驟數增加。180nm 制程的邏輯芯片，其 CMP 平坦化工藝步驟數為 10 次；14nm 制程的邏輯芯片 CMP 平坦化工藝步驟數超過(guò) 20 次；7nm 制程的邏輯芯片 CMP 平坦化工藝步驟數超過(guò) 30 次。

不同芯片制程CMP 工藝次數

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在先進(jìn)制程產(chǎn)能投入的大背景下，CMP拋光液價(jià)格走高。一方面由于制程的縮小，對于研磨顆粒要求更加細小，技術(shù)要求更高，價(jià)值量更高。另一方面，制程縮小帶來(lái) CMP工藝次數的增加，先進(jìn)制程需要的拋光液的用量更大，更小制程的拋光液用量占比更高。隨著(zhù)半導體對先進(jìn)制程的需求增加，拋光液的平均銷(xiāo)售價(jià)格將不斷提升。

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